Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 6.9 A 2.5 W, 8-Pin SO-8

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RS Best.-Nr.:
262-6737
Herst. Teile-Nr.:
IRF7473TRPBF
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

6.9A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Gehäusegröße

SO-8

Serie

HEXFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

26mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

61nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

2.5W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

1.3V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Höhe

1.75mm

Breite

4 mm

Länge

5mm

Automobilstandard

Nein

Der Infineon-Leistungs-MOSFET hat Vorteile wie einen niedrigen Gate-Antriebsstrom aufgrund einer verbesserten Gate-Ladecharakteristik, verbesserte Lawinenfestigkeit und dynamische dv/dt sowie vollständig charakterisierte Lawinen-Spannung und -Strom.

Extrem niedriger Widerstand im eingeschalteten Zustand

Hochgeschwindigkeitsschaltung

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