Infineon HEXFET N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 8 A 2 W, 8-Pin SO-8
- RS Best.-Nr.:
- 273-2806
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF7351TRPBF
- Hersteller:
- Infineon
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Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 8A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | SO-8 | |
| Serie | HEXFET | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 17.8mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 36nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 8A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße SO-8 | ||
Serie HEXFET | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 17.8mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 36nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2W | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
- Ursprungsland:
- PH
Infineon HEXFET Serie MOSFET, 60 V maximale Drain-Source-Spannung, 8 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom - IRF7351TRPBF
Dieser MOSFET ist ein N-Kanal-Verbesserungsgerät, das für oberflächenmontierte Leistungsschaltung und -steuerung in kompakten Baugruppen entwickelt wurde. Er arbeitet über einen erweiterten Temperaturbereich, der für raue Umgebungen geeignet ist, und wird in einem SO-8-Gehäuse für automatisierte Montageprozesse geliefert.
Merkmale und Vorteile:
• 17,8 mΩ Rds(on) reduziert Leitungsverluste bei Hochstromschaltvorgängen
• 60 V Vds ermöglicht den Betrieb in Leistungsstufen mit mittlerer Spannung
• 8A Id unterstützt eine hohe Dauerstromversorgung
• 36nC Qg verbessert die Schaltsteuerung für Antriebs-Schaltkreis-Design
• 2 W Pd begrenzt die thermische Belastung bei beengten Leiterplatten-Layouts
• 60 V Vds ermöglicht den Betrieb in Leistungsstufen mit mittlerer Spannung
• 8A Id unterstützt eine hohe Dauerstromversorgung
• 36nC Qg verbessert die Schaltsteuerung für Antriebs-Schaltkreis-Design
• 2 W Pd begrenzt die thermische Belastung bei beengten Leiterplatten-Layouts
Anwendungsbereich
• Geeignet für Hochstrom-SMD-Leistungsstufen
• Ideal für den Einsatz unter extremen Bedingungen in der Automobilelektronik
• Wird mit kompakten Motor-Treiber-Modulen verwendet
• Kann für Ausgangsstufen von DC/DC-Wandlern verwendet werden
• Geeignet für oberflächenmontierte Lastschalter-Implementierungen
• Ideal für den Einsatz unter extremen Bedingungen in der Automobilelektronik
• Wird mit kompakten Motor-Treiber-Modulen verwendet
• Kann für Ausgangsstufen von DC/DC-Wandlern verwendet werden
• Geeignet für oberflächenmontierte Lastschalter-Implementierungen
Welche Gate-Spannungsbegrenzungen sollten beachtet werden?
Das Gate darf 20 V bezogen auf die Quelle nicht überschreiten, um Schäden zu vermeiden.
Wie wirkt sich der thermische Bereich auf die Wahl des Einsatzes aus?
Das Gerät funktioniert von -55 °C bis 150 °C und ermöglicht den Einsatz in Umgebungen mit erweiterten Temperaturen.
Welche Befestigungsmethode ist für diese Komponente erforderlich?
Er ist für die Oberflächenmontage in einer SO-8-Grundfläche für automatisiertes Löten vorgesehen.
Welcher Kanal-Leitungsmodus ist implementiert?
Der Transistor arbeitet im Verstärkungsmodus mit N-Typ-Kanalleitung.