Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 90 A 125 W, 3-Pin PG-TO252-3

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RS Best.-Nr.:
273-2784
Herst. Teile-Nr.:
IPD046N08N5ATMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

90A

Drain-Source-Spannung Vds max.

80V

Gehäusegröße

PG-TO252-3

Serie

OptiMOS

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

4.6mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

42nC

Maximale Verlustleistung Pd

125W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

DIN IEC 68-1: 55/175/56, IEC61249-2-21, RoHS

Automobilstandard

Nein

Der MOSFET von Infineon ist ein n-Kanal-MOSFET mit 80 V. Er ist ideal für Hochfrequenzschaltungen und synchrone Gleichrichtung. Dieser MOSFET hat eine Betriebstemperatur von 175 Grad Celsius. Dieser MOSFET ist gemäß JEDEC1 für die Zielanwendung qualifiziert und gemäß IEC61249 2 21 halogenfrei.

RoHS-konform

Bleifreie Beschichtung

Exzellente Gate-Ladung

Sehr geringer Widerstand

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