Microchip VP0104 Typ P-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET MOSFET 40 V / -500 mA 1 W, 3-Pin TO-92

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RS Best.-Nr.:
264-8949
Herst. Teile-Nr.:
VP0104N3-G
Hersteller:
Microchip
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Marke

Microchip

Kabelkanaltyp

Typ P

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

-500mA

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Serie

VP0104

Gehäusegröße

TO-92

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

8Ω

Channel-Modus

MOSFET

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

1W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

2V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der P-Kanal-MOSFET von Microchip mit niedrigem Schwellenwert und Verstärkungsmodus (normalerweise ausgeschaltet) nutzt eine vertikale DMOS-Struktur und ein bewährtes Fertigungsverfahren mit Siliziumgatter. Durch diese Kombination wird ein Gerät mit der Strombelastbarkeitsfähigkeiten von bipolaren Transistoren mit der hohen Eingangsimpedanz und dem positiven Temperaturkoeffizienten von MOS-Geräten erzielt. Charakteristisch für alle MOS-Strukturen ist, dass dieses Bauelement frei von unkontrollierbaren thermischen Situationen und thermisch induzierten Sekundärdurchbrüchen ist. Die vertikalen DMOS-FETs eignen sich ideal für eine Vielzahl von Schalt- und Verstärkeranwendungen, bei denen sehr niedrige Schwellenspannung, hohe Durchbruchspannung, hohe Eingangsimpedanz, niedrige Eingangskapazität und schnelle Schaltgeschwindigkeiten erwünscht sind.

Frei von sekundären Störungen

Geringe Leistungsanforderung des Antriebs

Einfaches Parallelieren

Niedrige CISS und schnelle Schaltgeschwindigkeiten

Ausgezeichnete thermische Stabilität

Integrierte Source-Drain-Diode

Hohe Eingangsimpedanz und hohe Verstärkung

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