Microchip Typ P-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 60 V / 250 mA 1 W, 3-Pin TO-92
- RS Best.-Nr.:
- 165-4218
- Herst. Teile-Nr.:
- VP2106N3-G
- Hersteller:
- Microchip
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- RS Best.-Nr.:
- 165-4218
- Herst. Teile-Nr.:
- VP2106N3-G
- Hersteller:
- Microchip
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Microchip | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 250mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | TO-92 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 15Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | -1.2V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 4.06 mm | |
| Höhe | 5.33mm | |
| Länge | 5.08mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Microchip | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 250mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße TO-92 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 15Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf -1.2V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 4.06 mm | ||
Höhe 5.33mm | ||
Länge 5.08mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- PH
Supertex P-Kanal-Anreicherungstyp-MOSFET-Transistoren
Die Supertex-Serie von P-Kanal-Anreicherungstyp-DMOS-FET-Transistoren (normalerweise aus) von Microchip ist für eine Vielzahl von Schalt- und Verstärkungsanwendungen geeignet, bei denen niedrige Schwellenspannung, hohe Durchschlagsspannung, hohe Eingangsimpedanz, niedrige Eingangskapazität und schnelle Schaltgeschwindigkeiten erfordert sind.