Microchip VP0109 P-Kanal, THT MOSFET 90 V / 250 mA, 3-Pin TO-92

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RS Best.-Nr.:
236-8963
Herst. Teile-Nr.:
VP0109N3-G
Hersteller:
Microchip
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Marke

Microchip

Channel-Typ

P

Dauer-Drainstrom max.

250 mA

Drain-Source-Spannung max.

90 V

Gehäusegröße

TO-92

Serie

VP0109

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

8 Ω

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

3.5V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Der Microchip Enhancement Mode (normalerweise aus)-Transistor nutzt eine vertikale DMOS-Struktur und den bewährten Silizium-Gate-Fertigungsprozess von Supertex. Durch diese Kombination wird ein Gerät mit der Strombelastbarkeitsfähigkeiten von bipolaren Transistoren mit der hohen Eingangsimpedanz und dem positiven Temperaturkoeffizienten von MOS-Geräten erzielt. Charakteristisch für alle MOS-Strukturen ist, dass dieses Bauelement frei von unkontrollierbaren thermischen Situationen und thermisch induzierten Sekundärdurchbrüchen ist. Die vertikalen DMOS FETs sind ideal für eine Vielzahl von Schalt- und Verstärkeranwendungen geeignet, bei denen sehr niedrige Schwellenspannung, hohe Durchschlagsspannung, hohe Eingangsimpedanz, niedrige Eingangskapazität und schnelle Schaltgeschwindigkeiten erwünscht sind.

Frei von sekundärer Durchschlagsspannung

Niedrige Anforderung an die Stromversorgung

Einfacher Parallelbetrieb

Niedrige CISS und schnelle Schaltgeschwindigkeiten

Ausgezeichnete Temperaturstabilität

Integrierte Source-Drain-Diode

Hohe Eingangsimpedanz und hohe Verstärkung

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