Microchip VP0109 Typ P-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 90 V Erweiterung / 250 mA, 3-Pin TO-92
- RS Best.-Nr.:
- 236-8963
- Herst. Teile-Nr.:
- VP0109N3-G
- Hersteller:
- Microchip
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- RS Best.-Nr.:
- 236-8963
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- VP0109N3-G
- Hersteller:
- Microchip
Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Microchip | |
| Serie | VP0109 | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Drain-Source-Spannung (Vds) max. | 90 V | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. (Id) | 250 mA | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Gehäusegröße | TO-92 | |
| Drain-Source-Widerstand (Rds) max. | 8 Ω | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Microchip | ||
Serie VP0109 | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Drain-Source-Spannung (Vds) max. 90 V | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id) 250 mA | ||
Pinanzahl 3 | ||
Gehäusegröße TO-92 | ||
Drain-Source-Widerstand (Rds) max. 8 Ω | ||
The Microchip enhancement-mode (normally-off) transistor utilizes a vertical DMOS structure and Supertex’s well-proven, silicon-gate manufacturing process. This combination produces a device with the power handling capabilities of bipolar transistors and the high input impedance and positive temperature coefficient inherent in MOS devices. Characteristic of all MOS structures, this device is free from thermal runaway and thermally-induced secondary breakdown. The vertical DMOS FETs are ideally suited to a wide range of switching and amplifying applications where very low threshold voltage, high breakdown voltage, high input impedance, low input capacitance, and fast switching speeds are desired.
Free from secondary breakdown
Low power drive requirement
Ease of paralleling
Low CISS and fast switching speeds
Excellent thermal stability
Integral source-drain diode
High input impedance and high gain
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