Microchip VP0109 Typ P-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 30 V / 140 A 1.6 W, 3-Pin TO-92

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RS Best.-Nr.:
236-8964
Herst. Teile-Nr.:
VP0109N3-G
Hersteller:
Microchip
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Marke

Microchip

Kabelkanaltyp

Typ P

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

140A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Serie

VP0109

Gehäusegröße

TO-92

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

8mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.8V

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

1.6W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der Microchip Enhancement Mode (normalerweise aus)-Transistor nutzt eine vertikale DMOS-Struktur und den bewährten Silizium-Gate-Fertigungsprozess von Supertex. Durch diese Kombination wird ein Gerät mit der Strombelastbarkeitsfähigkeiten von bipolaren Transistoren mit der hohen Eingangsimpedanz und dem positiven Temperaturkoeffizienten von MOS-Geräten erzielt. Charakteristisch für alle MOS-Strukturen ist, dass dieses Bauelement frei von unkontrollierbaren thermischen Situationen und thermisch induzierten Sekundärdurchbrüchen ist. Die vertikalen DMOS FETs sind ideal für eine Vielzahl von Schalt- und Verstärkeranwendungen geeignet, bei denen sehr niedrige Schwellenspannung, hohe Durchschlagsspannung, hohe Eingangsimpedanz, niedrige Eingangskapazität und schnelle Schaltgeschwindigkeiten erwünscht sind.

Frei von sekundärer Durchschlagsspannung

Niedrige Anforderung an die Stromversorgung

Einfacher Parallelbetrieb

Niedrige CISS und schnelle Schaltgeschwindigkeiten

Ausgezeichnete Temperaturstabilität

Integrierte Source-Drain-Diode

Hohe Eingangsimpedanz und hohe Verstärkung

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