Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 100 V / 16 A 52 W, 3-Pin TO-251

Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigen

Zwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)*

€ 6,85

(ohne MwSt.)

€ 8,22

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 12. November 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück
Pro Stück
Pro Packung*
10 - 90€ 0,685€ 6,85
100 - 240€ 0,652€ 6,52
250 - 490€ 0,624€ 6,24
500 - 990€ 0,595€ 5,95
1000 +€ 0,377€ 3,77

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
262-6776
Distrelec-Artikelnummer:
304-41-680
Herst. Teile-Nr.:
IRFU3910PBF
Hersteller:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

16A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Gehäusegröße

TO-251

Serie

HEXFET

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

115mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.3V

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Maximale Verlustleistung Pd

52W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

29.3nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

2.39mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Breite

6.22mm

Länge

6.73mm

Automobilstandard

Nein

Der Leistungs-MOSFET von Infineon nutzt die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand pro Siliziumfläche zu erreichen. Er hat einen extrem niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand. Sie bietet dem Entwickler ein äußerst effizientes und zuverlässiges Gerät für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen.

Schnelles Schalten

Vollständig lawinenbeständig

Verwandte Links

Exklusiv für Sie unsere neuesten Produkte und Angebote

E-Mail-Anschrift

Die personenbezogenen Daten, die Sie uns bei Anmeldung zur Verfügung stellen, werden gemäß der Datenschutzerklärung verarbeitet.