STMicroelectronics Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 1200 V / 7 A, 3-Pin Band und Rolle

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RS Best.-Nr.:
261-5047
Herst. Teile-Nr.:
STH12N120K5-2AG
Hersteller:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

7A

Drain-Source-Spannung Vds max.

1200V

Gehäusegröße

Band und Rolle

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.9Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

36nC

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

15.8mm

Breite

10.4 mm

Höhe

4.7mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
Der Hochspannungs-N-Kanal-Leistungs-MOSFET von STMicroelectronics wurde mit MDmesh K5-Technologie entwickelt, die auf einer innovativen, proprietären vertikalen Struktur basiert. Das Ergebnis ist eine dramatische Verringerung des Widerstands im eingeschalteten Zustand und eine extrem niedrige Gate-Ladung für Anwendungen, die eine überlegene Leistungsdichte und einen hohen Wirkungsgrad erfordern.

AEC-Q101-qualifiziert

Niedrigster RDS(on) x Bereich der Branche

Bestes FoM der Branche

Extrem niedrige Gate-Ladung

100 % Lawinengeprüft

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