STMicroelectronics STH285N10F8-6AG N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterungsmodus 1200 V / 6 A 165 W,

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RS Best.-Nr.:
800-461
Herst. Teile-Nr.:
STH8N120K5-2AG
Hersteller:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Kabelkanaltyp

N-Kanal

Produkt Typ

Leistungs-MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

6A

Drain-Source-Spannung Vds max.

1200V

Gehäusegröße

H2PAK-2

Serie

STH285N10F8-6AG

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.65mΩ

Channel-Modus

Erweiterungsmodus

Maximale Verlustleistung Pd

165W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

14.4nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.5V

Gate-Source-spannung max Vgs

30V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

10.4mm

Normen/Zulassungen

ECOPACK

Höhe

15.8mm

Breite

4.7mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Ursprungsland:
CN
Der Hochspannungs-N-Kanal-Leistungs-MOSFET von STMicroelectronics wurde mit der MDmesh K5-Technologie entwickelt, die auf einer innovativen proprietären vertikalen Struktur basiert. Das Ergebnis ist eine dramatische Verringerung des Widerstands im eingeschalteten Zustand und eine extrem niedrige Gate-Ladung für Anwendungen, die eine überlegene Leistungsdichte und einen hohen Wirkungsgrad erfordern.

AEC-Q101 qualifiziert

Niedrigster RDS(on) x Bereich der Branche

Branchenbeste FoM (meritfaktor)

Extrem niedrige Gate-Ladung

100 % Avalanche-getestet

Zener-geschützt

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