Infineon IPN, Oberfläche MOSFET / 7.6 A, 3-Pin PG-SOT223

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)*

€ 4,78

(ohne MwSt.)

€ 5,74

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • Zusätzlich 3 000 Einheit(en) mit Versand ab 02. Februar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
10 - 90€ 0,478€ 4,78
100 - 240€ 0,455€ 4,55
250 - 490€ 0,446€ 4,46
500 - 990€ 0,416€ 4,16
1000 +€ 0,335€ 3,35

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
260-5153
Herst. Teile-Nr.:
IPN50R800CEATMA1
Hersteller:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

7.6A

Serie

IPN

Gehäusegröße

PG-SOT223

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.8Ω

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

6.3mm

Höhe

1.52mm

Breite

3.3 mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Die Infineon CoolMOS CE ist eine revolutionäre Technologie für Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs, die nach dem Super-Junction-Prinzip (SJ) entwickelt wurde und Pionier entwickelt wurde.

Sehr hohe Schaltflexibilität

Einfach zu bedienen oder zu fahren

Verwandte Links