Infineon IGBT-Einzel-Transistor-IC / 4 A, 600 V 6.8 W PG-SOT223

Alle IGBT anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*

€ 3,07

(ohne MwSt.)

€ 3,685

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 2 930 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
5 - 45€ 0,614€ 3,07
50 - 120€ 0,528€ 2,64
125 - 245€ 0,492€ 2,46
250 - 495€ 0,46€ 2,30
500 +€ 0,422€ 2,11

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
240-8531
Herst. Teile-Nr.:
IKN04N60RC2ATMA1
Hersteller:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

IGBT-Einzel-Transistor-IC

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

4A

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

600V

Maximale Verlustleistung Pd

6.8W

Gehäusegröße

PG-SOT223

Schaltgeschwindigkeit

20kHz

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

2.3V

Betriebstemperatur min.

-40°C

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

20 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

JEDEC47/20/22

Automobilstandard

Nein

Der Infineon RC Drives 2 600 V, 1 A IGBT Discrete in PG-SOT-223-Gehäuse. Der RC-D2 mit der monolithisch integrierten Diode bietet Verbesserungen bei Leistung, Steuerbarkeit und Zuverlässigkeit im Vergleich zum RC-DF. Er bietet geringe Schaltverluste zu einem konkurrenzfähigen Preis und ist so geeignet für die Entwicklung von Produkten – Drop-in-SMD-Ersatz in DPAK und SOT-223 mit hoher Systemzuverlässigkeit.

Verbesserte Steuerbarkeit

Betriebsbereich von 1 bis 20 kHz

Feuchtigkeitsbeständiges Design

Maximale Verbindungstemperatur von 150° C

Kurzschlusskapazität von 3 μs

Sehr enge Parameterverteilung

Bleifreie Leiterbeschichtung, RoHS-konform

Vollständiges Produktspektrum und SPICE-Modelle

Verwandte Links