Infineon IPN N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 3.6 A 6 W, 3-Pin PG-SOT223

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RS Best.-Nr.:
273-3016
Herst. Teile-Nr.:
IPN60R1K5PFD7SATMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

3.6A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Serie

IPN

Gehäusegröße

PG-SOT223

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.5Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-40°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Durchlassspannung Vf

1V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

4.6nC

Maximale Verlustleistung Pd

6W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

JEDEC Standard

Automobilstandard

Nein

Der Infineon 600 V Cool MOS PFD7 Super Junction MOSFET ergänzt das Cool MOS 7-Angebot für Verbraucheranwendungen.

BOM-Kostenreduzierung und einfache Fertigung

Robustheit und Zuverlässigkeit

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