Infineon IPD Typ P-Kanal MOSFET P / 15.1 A TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 260-5146
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD65R400CEAUMA1
- Hersteller:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
€ 5,15
(ohne MwSt.)
€ 6,20
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00
Nur noch Restbestände
- Letzte 2 465 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | € 1,03 | € 5,15 |
| 50 - 120 | € 0,926 | € 4,63 |
| 125 - 245 | € 0,864 | € 4,32 |
| 250 - 495 | € 0,804 | € 4,02 |
| 500 + | € 0,752 | € 3,76 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 260-5146
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD65R400CEAUMA1
- Hersteller:
- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 15.1A | |
| Serie | IPD | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Channel-Modus | P | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 15.1A | ||
Serie IPD | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Channel-Modus P | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die Infineon CoolMOS CE ist eine revolutionäre Technologie für Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs, die nach dem Super-Junction-Prinzip (SJ) entwickelt wurde und Pionier entwickelt wurde.
Sehr hohe Schaltflexibilität
Einfach zu bedienen oder zu fahren
Verwandte Links
- Infineon IPD Typ P-Kanal MOSFET P / 15.1 A TO-252
- Infineon IPD Typ P-Kanal 3-Pin TO-252
- Infineon IPD Typ P-Kanal MOSFET N / 4.4 A TO-252
- Infineon IPD Typ P-Kanal 3-Pin TO-252
- Infineon IPD Typ N-Kanal MOSFET P / 1.7 A TO-252
- Infineon IPD Typ P-Kanal 3-Pin TO-252
- Infineon IPD Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET N / 2.6 A TO-252
- Infineon IPD Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung -30 V / -50 A 58 W PG-TO-252
