Infineon HEXFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET -55 V / -42 A 170 W TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 260-5058
- Herst. Teile-Nr.:
- AUIRF4905STRL
- Hersteller:
- Infineon
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Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | -42A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | -55V | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Serie | HEXFET | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 20mΩ | |
| Durchlassspannung Vf | -1.3V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 53nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 170W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Höhe | 15.88mm | |
| Länge | 10.67mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id -42A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. -55V | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Serie HEXFET | ||
Montageart Oberfläche | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 20mΩ | ||
Durchlassspannung Vf -1.3V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 53nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 170W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Höhe 15.88mm | ||
Länge 10.67mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der Infineon P-Kanal HEXFET-Leistungs-MOSFET wurde speziell für Kfz-Anwendungen entwickelt. Dieser Leistungs-MOSFET nutzt die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand pro Siliziumbereich zu erreichen.
Erweiterte Prozesstechnologie
Extrem niedriger Widerstand im eingeschalteten Zustand
Schnelles Schalten
Wiederholte Lawinen bis zu Tjmax zulässig
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