Infineon IPT Typ N-Kanal MOSFET 150 V / 122 A 214 W, 16-Pin HDSOP
- RS Best.-Nr.:
- 259-2735
- Herst. Teile-Nr.:
- IPTC063N15NM5ATMA1
- Hersteller:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 259-2735
- Herst. Teile-Nr.:
- IPTC063N15NM5ATMA1
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- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 122A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 150V | |
| Serie | IPT | |
| Gehäusegröße | HDSOP | |
| Pinanzahl | 16 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 6.3mΩ | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Durchlassspannung Vf | 0.84V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 50nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 214W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS, IEC 61249-2-21 | |
| Länge | 10.1mm | |
| Breite | 10.3 mm | |
| Höhe | 2.35mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 122A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 150V | ||
Serie IPT | ||
Gehäusegröße HDSOP | ||
Pinanzahl 16 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 6.3mΩ | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Durchlassspannung Vf 0.84V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 50nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 214W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS, IEC 61249-2-21 | ||
Länge 10.1mm | ||
Breite 10.3 mm | ||
Höhe 2.35mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die industriellen OptiMOS 5-Leistungs-MOSFET-Geräte von Infineon in 80 V und 100 V wurden für die synchrone Gleichrichtung in Telekommunikations- und Server-Netzteilanwendungen entwickelt, sind aber auch die ideale Wahl für andere Anwendungen wie Solar-, Niederspannungsantriebe und Laptop-Adapter. Mit einem breiten Gehäuseportfolio bietet diese Leistungs-MOSFET-Familie den branchenweit niedrigsten RDS(on). Einer der größten Beiträge zu dieser branchenführenden Leistung (FOM) ist der niedrige Widerstand im eingeschalteten Zustand mit einem Wert von nur 2,7 mΩ im SuperSO8-Gehäuse, der das höchste Maß an Leistungsdichte und Effizienz bietet.
N-Kanal, normaler Pegel
Sehr niedriger Widerstand im eingeschalteten Zustand RDS(on)
Überlegener Wärmewiderstand
100 % Lawinengeprüft
Bleifreie Kabelbeschichtung; RoHS-konform
Halogenfrei gemäß IEC61249-2-26
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