Infineon IPT N-Kanal MOSFET 319 V / 190 A 319 W, 16-Pin TO-263

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RS Best.-Nr.:
260-2669
Herst. Teile-Nr.:
IPTC039N15NM5ATMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

190A

Drain-Source-Spannung Vds max.

319V

Serie

IPT

Gehäusegröße

TO-263

Pinanzahl

16

Drain-Source-Widerstand Rds max.

3.9mΩ

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

74nC

Maximale Verlustleistung Pd

319W

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Durchlassspannung Vf

0.81V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

2.35mm

Länge

10.1mm

Breite

10.3mm

Normen/Zulassungen

IEC 61249-2-21, RoHS

Automobilstandard

Nein

Der Infineon MOSFET bietet ein Kühlgehäuse für überlegene thermische Leistung mit einem innovativen Gehäuse in Kombination mit den wichtigsten Merkmalen der Technologie, die beste Produkte in ihrer Klasse sowie einen hohen Nennstrom für Designs mit hoher Leistungsdichte ermöglicht.

Erhöhte Systemeffizienz für längere Batterielebensdauer

Hohe Leistungsdichte

Überlegene thermische Leistung

Einsparung im Kühlsystem

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