Infineon IPT Typ N-Kanal MOSFET 319 V / 190 A 319 W, 16-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 260-2670
- Herst. Teile-Nr.:
- IPTC039N15NM5ATMA1
- Hersteller:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Stück)*
€ 5,95
(ohne MwSt.)
€ 7,14
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00
Auf Lager
- Zusätzlich 50 Einheit(en) mit Versand ab 27. April 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 - 9 | € 5,95 |
| 10 - 24 | € 5,35 |
| 25 - 49 | € 5,00 |
| 50 - 99 | € 4,70 |
| 100 + | € 4,34 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 260-2670
- Herst. Teile-Nr.:
- IPTC039N15NM5ATMA1
- Hersteller:
- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 190A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 319V | |
| Serie | IPT | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Pinanzahl | 16 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 3.9mΩ | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 0.81V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 319W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 74nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 2.35mm | |
| Normen/Zulassungen | IEC 61249-2-21, RoHS | |
| Länge | 10.1mm | |
| Breite | 10.3 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 190A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 319V | ||
Serie IPT | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Pinanzahl 16 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 3.9mΩ | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 0.81V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 319W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 74nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 2.35mm | ||
Normen/Zulassungen IEC 61249-2-21, RoHS | ||
Länge 10.1mm | ||
Breite 10.3 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon MOSFET bietet ein Kühlgehäuse für überlegene thermische Leistung mit einem innovativen Gehäuse in Kombination mit den wichtigsten Merkmalen der Technologie, die beste Produkte in ihrer Klasse sowie einen hohen Nennstrom für Designs mit hoher Leistungsdichte ermöglicht.
Erhöhte Systemeffizienz für längere Batterielebensdauer
Hohe Leistungsdichte
Überlegene thermische Leistung
Einsparung im Kühlsystem
Verwandte Links
- Infineon IPT Typ N-Kanal MOSFET 319 V / 190 A 319 W, 16-Pin TO-263
- Infineon IPT Typ N-Kanal MOSFET 150 V / 190 A 319 W, 8-Pin TOLG
- Infineon IPT Typ N-Kanal MOSFET 150 V / 174 A 300 W, 16-Pin TO-263
- Infineon IPT Typ N-Kanal MOSFET 100 V / 365 A 375 W, 16-Pin HDSOP
- Infineon IPT Typ N-Kanal MOSFET 150 V / 143 A 250 W, 16-Pin HDSOP
- Infineon IPT Typ N-Kanal MOSFET 80 V / 408 A 375 W, 16-Pin HDSOP
- Infineon IPT Typ N-Kanal MOSFET 150 V / 122 A 214 W, 16-Pin HDSOP
- Infineon IPT Typ N-Kanal 8-Pin HSOF-8