Infineon iPB Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 60 V / 180 A TO-263

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RS Best.-Nr.:
259-1540
Herst. Teile-Nr.:
IPB014N06NATMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

180A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Serie

iPB

Gehäusegröße

TO-263

Montageart

Oberfläche

Channel-Modus

N

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Die Produktfamilie Infineon optimos 25 V setzt neue Maßstäbe in Bezug auf Leistungsdichte und Energieeffizienz für diskrete Leistungs-MOSFETs und System in Gehäuse. Die extrem niedrige Gate- und Ausgangsladung sowie der niedrigste Widerstand im eingeschalteten Zustand in kleinen Gehäusen machen optimos 25 V zur besten Wahl für die anspruchsvollen Anforderungen von Spannungsreglerlösungen in Servern, Datenkommunikation und Telekommunikationsanwendungen. Erhältlich in Halbbrückenkonfiguration (Leistungsstufe 5 x 6).

N-Kanal-Erweiterungsmodus

AEC-qualifiziert

MSL1 bis zu 260 °C Spitzenreflow

Betriebstemperatur: 175 °C

Grünes Produkt (RoHS-konform)

Extrem niedrige Rds(on)

100 % Lawinengeprüft

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