Infineon iPB Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 60 V / 100 A TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 259-1544
- Herst. Teile-Nr.:
- IPB026N06NATMA1
- Hersteller:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
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- IPB026N06NATMA1
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Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 100A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Serie | iPB | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Channel-Modus | N | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 100A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Serie iPB | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Channel-Modus N | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
DIE Infineon optimos 5 60 V ist optimiert für synchrone Gleichrichtung in Schaltnetzteilen (SMPS), wie sie in Servern und Desktops und Tablet-Ladegeräten zu finden sind. Darüber hinaus sind diese Geräte eine perfekte Wahl für eine Vielzahl von industriellen Anwendungen einschließlich Motorsteuerung, Solar-Mikroinverter und DC/DC-Konverter mit schneller Schaltung.
Optimiert für synchrone Gleichrichtung
40 % niedrigerer R DS(on) als alternative Geräte
40 % Verbesserung der FOM gegenüber ähnlichen Geräten
RoHS-konform, halogenfrei
MSL1-Zulassung