Infineon IRF8736 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 18 A 2.5 W, 8-Pin SO-8
- RS Best.-Nr.:
- 258-8204
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF8736TRPBF
- Hersteller:
- Infineon
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- IRF8736TRPBF
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- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 18A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | SO-8 | |
| Serie | IRF8736 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 4.8mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 17nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2.5W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 18A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße SO-8 | ||
Serie IRF8736 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 4.8mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 17nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2.5W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
MOSFET der Serie IRF8736 von Infineon, 30 V maximale Drain-Source-Spannung, 18 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – IRF8736TRPBF
Dieser MOSFET ist ein N-Kanal-Verbesserungsgerät für Niederspannungsschalt- und Leistungsmanagement in kompakten Oberflächenmontage-Baugruppen. Er arbeitet in einem breiten Temperaturbereich und wird in einem SO-8-Gehäuse für die Leiterplattenmontage geliefert. Das Teil entspricht den RoHS-Richtlinien und ist für Anwendungen konzipiert, die eine effiziente Leitungs- und kontrollierte Gate-Treiberenergie erfordern.
Merkmale und Vorteile:
• 4,8 mΩ Rds(on) für geringere Leitungsverluste und verbesserten Wirkungsgrad
• 17 nC typische Gate-Ladung für vorhersehbare Schaltgeschwindigkeit
• 30 V Vds Nennwert für Niederspannungs-Leistungsschaltanwendungen
• 18 A kontinuierliche Ablassleistung für moderate Stromlasten
• 2,5 W Verlustleistung für kompakte Designs mit thermischem Budget
• 17 nC typische Gate-Ladung für vorhersehbare Schaltgeschwindigkeit
• 30 V Vds Nennwert für Niederspannungs-Leistungsschaltanwendungen
• 18 A kontinuierliche Ablassleistung für moderate Stromlasten
• 2,5 W Verlustleistung für kompakte Designs mit thermischem Budget
Anwendungsbereich
• Wird für das Schalten von Gleichstrom in Steuermodulen verwendet
• Geeignet für Motor-Treiber-Stufen mit moderatem Strom
• Ideal für hocheffiziente Stromwandler bei beengten Platzverhältnissen
• Kann zum Schalten der Last auf kompakten Baugruppen verwendet werden
• Wird mit Gate-Treibern verwendet, die eine Gate-Spannung von bis zu 20 V erfordern
• Geeignet für Motor-Treiber-Stufen mit moderatem Strom
• Ideal für hocheffiziente Stromwandler bei beengten Platzverhältnissen
• Kann zum Schalten der Last auf kompakten Baugruppen verwendet werden
• Wird mit Gate-Treibern verwendet, die eine Gate-Spannung von bis zu 20 V erfordern
Welche Gate-Spannungsgrenzwerte sollten beachtet werden?
Das Gerät darf nicht über ein 20-V-Gate-to-Source-Differenzial hinaus betrieben werden, um eine Gate-Überlastung zu vermeiden.
Welche Betriebstemperaturen verträgt er?
Es ist spezifiziert für den Betrieb von -55 °C bis 150 °C in breiten thermischen Umgebungen.
Wie sollte die Wärmeableitung auf einer Leiterplatte berücksichtigt werden?
Mit einer maximalen Verlustleistung von 2,5 W sollte das Layout einen Kupferbereich oder Wärmeleitungen zur Steuerung der Sperrschichttemperatur umfassen.
Ist diese Komponente für Kfz-konforme Konstruktionen geeignet?
Es ist nicht als Kfz-Standardgerät klassifiziert, erfüllt aber die RoHS-Anforderungen.
Welches Gehäuse und welche Befestigungsart wird verwendet?
Der Transistor wird in einem SO-8-Gehäuse geliefert, das für die Oberflächenmontage auf Leiterplattenbaugruppen vorgesehen ist.