Infineon Si4435DYPbF Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 8 A 2.5 W, 8-Pin SO-8

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RS Best.-Nr.:
170-2264
Herst. Teile-Nr.:
SI4435DYTRPBF
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

8A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

SO-8

Serie

Si4435DYPbF

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

35mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

40nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

2.5W

Durchlassspannung Vf

-1.2V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

5mm

Höhe

1.5mm

Breite

4 mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

RoHS: nicht konform / nicht kompatibel

Der Infineon SI4435DY ist der 30-V-Einkanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem SO-8-Gehäuse. Diese P-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFETs von International Rectifier verwenden Advanced Processing Techniken, um einen extrem niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand pro Siliziumfläche zu erreichen.

P-Kanal-MOSFET

Oberflächenmontage

Erhältlich auf Band und Rolle

Ohne Leitung

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