STMicroelectronics STS N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Erweiterung 30 V / 10 A 2.5 W, 8-Pin SO-8
- RS Best.-Nr.:
- 719-621
- Herst. Teile-Nr.:
- STS10N3LH5
- Hersteller:
- STMicroelectronics
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- RS Best.-Nr.:
- 719-621
- Herst. Teile-Nr.:
- STS10N3LH5
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Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Kabelkanaltyp | N-Kanal | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 10A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | SO-8 | |
| Serie | STS | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.021Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.1V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 22V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 4.6nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2.5W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 1.75mm | |
| Breite | 4mm | |
| Länge | 5mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Kabelkanaltyp N-Kanal | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 10A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße SO-8 | ||
Serie STS | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.021Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.1V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 22V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 4.6nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2.5W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 1.75mm | ||
Breite 4mm | ||
Länge 5mm | ||
Die STripFETTMV-Leistungs-MOSFET-Technologie von STMicroelectronics gehört zu den neuesten Verbesserungen, die speziell darauf zugeschnitten wurden, einen sehr niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand zu erzielen und gleichzeitig einen der besten FOMs in ihrer Klasse zu bieten.
Extrem niedriger Ein-Widerstand RDS(on)
Sehr geringe Schaltgate-Ladung
Hohe Lawinenbeständigkeit
Geringe Leistungsverluste bei Gate-Antrieb
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