STMicroelectronics STS N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Erweiterung 30 V / 10 A 2.5 W, 8-Pin SO-8

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RS Best.-Nr.:
719-622
Herst. Teile-Nr.:
STS10N3LH5
Hersteller:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Kabelkanaltyp

N-Kanal

Produkt Typ

Leistungs-MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

10A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Serie

STS

Gehäusegröße

SO-8

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.021Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.1V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

4.6nC

Gate-Source-spannung max Vgs

22V

Maximale Verlustleistung Pd

2.5W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

5mm

Breite

4mm

Höhe

1.75mm

Die STripFETTMV-Leistungs-MOSFET-Technologie von STMicroelectronics gehört zu den neuesten Verbesserungen, die speziell darauf zugeschnitten wurden, einen sehr niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand zu erzielen und gleichzeitig einen der besten FOMs in ihrer Klasse zu bieten.

Extrem niedriger Ein-Widerstand RDS(on)

Sehr geringe Schaltgate-Ladung

Hohe Lawinenbeständigkeit

Geringe Leistungsverluste bei Gate-Antrieb

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