STMicroelectronics STS N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Erweiterung 30 V / 10 A 2.5 W, 8-Pin SO-8
- RS Best.-Nr.:
- 719-622
- Herst. Teile-Nr.:
- STS10N3LH5
- Hersteller:
- STMicroelectronics
Zwischensumme (1 Stück)*
€ 0,35
(ohne MwSt.)
€ 0,42
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00
Wird eingestellt
- Letzte 290 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 + | € 0,35 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 719-622
- Herst. Teile-Nr.:
- STS10N3LH5
- Hersteller:
- STMicroelectronics
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N-Kanal | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 10A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | SO-8 | |
| Serie | STS | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.021Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 4.6nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.1V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 22V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2.5W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 5mm | |
| Breite | 4mm | |
| Höhe | 1.75mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N-Kanal | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 10A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße SO-8 | ||
Serie STS | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.021Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 4.6nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.1V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 22V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2.5W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 5mm | ||
Breite 4mm | ||
Höhe 1.75mm | ||
Die STripFETTMV-Leistungs-MOSFET-Technologie von STMicroelectronics gehört zu den neuesten Verbesserungen, die speziell darauf zugeschnitten wurden, einen sehr niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand zu erzielen und gleichzeitig einen der besten FOMs in ihrer Klasse zu bieten.
Extrem niedriger Ein-Widerstand RDS(on)
Sehr geringe Schaltgate-Ladung
Hohe Lawinenbeständigkeit
Geringe Leistungsverluste bei Gate-Antrieb