Infineon iPB Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 100 V / 58 A TDSON
- RS Best.-Nr.:
- 258-7741
- Herst. Teile-Nr.:
- IPB123N10N3GATMA1
- Hersteller:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 258-7741
- Herst. Teile-Nr.:
- IPB123N10N3GATMA1
- Hersteller:
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Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 58A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Gehäusegröße | TDSON | |
| Serie | iPB | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Channel-Modus | N | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 58A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Gehäusegröße TDSON | ||
Serie iPB | ||
Montageart Oberfläche | ||
Channel-Modus N | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Leistungstransistor OptiMOS 3 von Infineon bietet überlegene Lösungen für SMPS mit hohem Wirkungsgrad und hoher Leistungsdichte. Verglichen mit der nächstbesten Technologie erreicht dieses Produkt eine Reduzierung der Rds on und FOM um 30 Prozent.
Hervorragendes Schaltverhalten
Weltweit niedrigster RDS auf
RoHS-konform und halogenfrei
MSL1 bewertet 2
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