Infineon iPB Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 100 V / 160 A TSDSON
- RS Best.-Nr.:
- 258-7067
- Herst. Teile-Nr.:
- IPB039N10N3GATMA1
- Hersteller:
- Infineon
Zwischensumme (1 Rolle mit 1000 Stück)*
€ 1.037,00
(ohne MwSt.)
€ 1.244,00
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 06. Mai 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 1000 + | € 1,037 | € 1.037,00 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 258-7067
- Herst. Teile-Nr.:
- IPB039N10N3GATMA1
- Hersteller:
- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 160A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Serie | iPB | |
| Gehäusegröße | TSDSON | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Channel-Modus | N | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 160A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Serie iPB | ||
Gehäusegröße TSDSON | ||
Montageart Oberfläche | ||
Channel-Modus N | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Leistungstransistor OptiMOS 3 von Infineon bietet überlegene Lösungen für SMPS mit hohem Wirkungsgrad und hoher Leistungsdichte. Verglichen mit der nächstbesten Technologie erreicht dieses Produkt eine Reduzierung der Rds on und FOM um 30 Prozent.
Hervorragendes Schaltverhalten
Weltweit niedrigster RDS auf
RoHS-konform und halogenfrei
MSL1 bewertet 2
Verwandte Links
- Infineon iPB Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 100 V / 160 A IPB039N10N3GATMA1 TSDSON
- Infineon iPB Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET P 60 V / 180 A TSDSON
- Infineon iPB Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 160 A IPB160N04S4H1ATMA1 TO-263
- Infineon iPB Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 160 A TO-263
- Infineon iPB Typ N-Kanal 7-Pin TO-263
- Infineon iPB Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 100 V / 137 A TO-252
- Infineon iPB Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 100 V / 58 A TDSON
- Infineon iPB Typ N-Kanal 3-Pin TO-263