Infineon iPB N-Kanal, Oberfläche MOSFET P 60 V / 180 A TSDSON
- RS Best.-Nr.:
- 258-7735
- Herst. Teile-Nr.:
- IPB016N06L3GATMA1
- Hersteller:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*
€ 8,90
(ohne MwSt.)
€ 10,68
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00
Auf Lager
- 1 000 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | € 4,45 | € 8,90 |
| 20 - 48 | € 3,78 | € 7,56 |
| 50 - 98 | € 3,56 | € 7,12 |
| 100 - 198 | € 3,29 | € 6,58 |
| 200 + | € 3,065 | € 6,13 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 258-7735
- Herst. Teile-Nr.:
- IPB016N06L3GATMA1
- Hersteller:
- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 180A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Serie | iPB | |
| Gehäusegröße | TSDSON | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Channel-Modus | P | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 180A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Serie iPB | ||
Gehäusegröße TSDSON | ||
Montageart Oberfläche | ||
Channel-Modus P | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Leistungstransistor OptiMOS 3 von Infineon ist die perfekte Wahl für die synchrone Gleichrichtung in Schaltnetzteilen, wie sie in Servern, Desktops und Tablet-Ladegeräten zu finden sind. Darüber hinaus können diese Geräte für eine breite Palette industrieller Anwendungen wie Motorsteuerung, Solar-Mikroinverter und schnell schaltende DC-DC-Wandler eingesetzt werden.
Sehr niedriger Einschaltwiderstand RDS auf
Ideal für schnelle Schaltanwendungen
RoHS-konform
Höchste Systemeffizienz
Verwandte Links
- Infineon iPB Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET P 60 V / 180 A TSDSON
- Infineon iPB Typ P-Kanal 7-Pin TO-263
- Infineon iPB Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 180 A TO-263
- Infineon iPB Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 60 V / 180 A TO-263
- Infineon iPB Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 180 A 250 W TO-263
- Infineon iPB Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 100 V / 160 A TSDSON
- Infineon iPB Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET P 100 V / 135 A TO-263
- Infineon iPB Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET P 100 V / 52 A TO-252