Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 100 V / 17 A 3.8 W TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 258-3992
- Distrelec-Artikelnummer:
- 304-40-548
- Herst. Teile-Nr.:
- IRL530NSTRLPBF
- Hersteller:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 258-3992
- Distrelec-Artikelnummer:
- 304-40-548
- Herst. Teile-Nr.:
- IRL530NSTRLPBF
- Hersteller:
- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 17A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Serie | HEXFET | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 150mΩ | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 3.8W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 22.7nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 17A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Serie HEXFET | ||
Montageart Oberfläche | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 150mΩ | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 3.8W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 22.7nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon HEXFET-Leistungs-MOSFET ist ein HEXFET der fünften Generation von International Rectifier, der fortschrittliche Verarbeitungstechniken verwendet, um den niedrigsten möglichen Widerstand im eingeschalteten Zustand pro Siliziumbereich zu erreichen. Dieser Vorteil, kombiniert mit der schnellen Schaltgeschwindigkeit und dem robusten Gerätedesign, für das HEXFET-Leistungs-MOSFETs bekannt sind, bietet dem Entwickler ein äußerst effizientes Gerät für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen.
Planare Zellenstruktur für breite SOA
Optimiert für breiteste Verfügbarkeit bei Vertriebspartnern
Produktqualifizierung gemäß JEDEC-Standard
Silizium-Optimierung für nachfolgende Schaltanwendungen <100 kHz
SMD-Leistungsgehäuse nach Industriestandard
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