Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 100 V / 17 A 3.8 W TO-263

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
258-3992
Distrelec-Artikelnummer:
304-40-548
Herst. Teile-Nr.:
IRL530NSTRLPBF
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

17A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Gehäusegröße

TO-263

Serie

HEXFET

Montageart

Oberfläche

Drain-Source-Widerstand Rds max.

150mΩ

Durchlassspannung Vf

1.3V

Maximale Verlustleistung Pd

3.8W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

22.7nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Der Infineon HEXFET-Leistungs-MOSFET ist ein HEXFET der fünften Generation von International Rectifier, der fortschrittliche Verarbeitungstechniken verwendet, um den niedrigsten möglichen Widerstand im eingeschalteten Zustand pro Siliziumbereich zu erreichen. Dieser Vorteil, kombiniert mit der schnellen Schaltgeschwindigkeit und dem robusten Gerätedesign, für das HEXFET-Leistungs-MOSFETs bekannt sind, bietet dem Entwickler ein äußerst effizientes Gerät für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen.

Planare Zellenstruktur für breite SOA

Optimiert für breiteste Verfügbarkeit bei Vertriebspartnern

Produktqualifizierung gemäß JEDEC-Standard

Silizium-Optimierung für nachfolgende Schaltanwendungen <100 kHz

SMD-Leistungsgehäuse nach Industriestandard

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