Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 11 A, 5-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 258-3978
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFI4212H-117PXKMA1
- Hersteller:
- Infineon
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- IRFI4212H-117PXKMA1
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- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 11A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Serie | HEXFET | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 5 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 72.50mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 10V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 12nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 11A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Serie HEXFET | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 5 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 72.50mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 10V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 12nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Infineon HEXFET Serie MOSFET, 100 V maximale Drain-Source-Spannung, 11 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – IRFI4212H-117PXKMA1
Dieser N-Kanal-MOSFET ist ein SMD-Leistungstransistor für das Schalten und Verstärken in industriellen elektronischen Systemen. Er arbeitet in einem breiten Temperaturbereich und entspricht den RoHS-Umgebungsgrenzwerten, wodurch er sich für Installationen eignet, die bleifreie Komponenten und eine breite thermische Toleranz erfordern.
Merkmale und Vorteile:
• Niedriger Einschaltwiderstand reduziert Leitungsverluste
• Die hohe Spannungsfestigkeit unterstützt erhöhte Versorgungsschienen
• Mäßige Gate-Ladung ermöglicht schnellere Schaltübergänge
• Fünf-Klemmen-Gehäuse vereinfachen Montage und Anschlüsse
• Breite Temperaturbeständigkeit sorgt für den Betrieb in extremen Umgebungen
• Die hohe Spannungsfestigkeit unterstützt erhöhte Versorgungsschienen
• Mäßige Gate-Ladung ermöglicht schnellere Schaltübergänge
• Fünf-Klemmen-Gehäuse vereinfachen Montage und Anschlüsse
• Breite Temperaturbeständigkeit sorgt für den Betrieb in extremen Umgebungen
Anwendungsbereich
• Geeignet für Leistungsumwandlungsmodule in Industrieanlagen
• Ideal für Schaltstufen mit Motorantrieb, die einen Strom von 11 A erfordern
• Verwendung mit Hochspannungsschalterkonfigurationen bis zu 100 V
• Geeignet für Baugruppen, die eine oberflächenmontierbare TO-220-Verpackung benötigen
• Wird für thermisch belastete Umgebungen von -55 °C bis 150 °C verwendet
• Ideal für Schaltstufen mit Motorantrieb, die einen Strom von 11 A erfordern
• Verwendung mit Hochspannungsschalterkonfigurationen bis zu 100 V
• Geeignet für Baugruppen, die eine oberflächenmontierbare TO-220-Verpackung benötigen
• Wird für thermisch belastete Umgebungen von -55 °C bis 150 °C verwendet
Wie hoch ist die Polarität des Kanals?
Er verwendet einen N-Kanal-Verbesserungsmodus für die Elektronenleitung.
Wie wirkt sich die Gate-Drive-Anforderung auf die Schaltung aus?
Die typische Gate-Ladung beträgt 12 nC bei der Nenn-Gate-Spannung, was die Treibergrösse und die Schaltgeschwindigkeit beeinflusst.
Welchen elektrischen Belastungen kann das Gerät zwischen Ablass und Quelle standhalten?
Er ist für 100 V zwischen Drain und Quelle unter den maximalen angegebenen Bedingungen ausgelegt.
Welches Gehäuse und welche Befestigungsmethode werden zur Verfügung gestellt?
Er wird in einem TO‐220-Gehäuse geliefert, das für die Oberflächenmontage konzipiert ist.
Welche Begrenzungseigenschaften definieren die Leitfähigkeit?
Der maximale Drain-Source-On-Widerstand beträgt 72,50 mΩ, was sich auf Leitungsverluste bei hohem Strom auswirkt.
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