Infineon HEXFET, Oberfläche MOSFET 100 V / 483 A TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 258-3951
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF100P218AKMA1
- Hersteller:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Stück)*
€ 6,71
(ohne MwSt.)
€ 8,05
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00
Auf Lager
- 96 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 - 9 | € 6,71 |
| 10 - 24 | € 6,37 |
| 25 - 49 | € 6,24 |
| 50 - 99 | € 5,83 |
| 100 + | € 5,44 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 258-3951
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF100P218AKMA1
- Hersteller:
- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 483A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Serie | HEXFET | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 483A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Serie HEXFET | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon MOSFET StrongIRFET hat eine verbesserte Gate-, Avalanche- und dynamische dv/dt-Robustheit sowie eine vollständig charakterisierte Kapazität und Avalanche-SOA.
USV- und Wechselrichteranwendungen
Halbbrückentopologien und Vollbrückentopologien
Resonanzmodus-Netzteile
Verwandte Links
- Infineon HEXFET, Oberfläche MOSFET 100 V / 483 A TO-247
- Infineon HEXFET, Oberfläche MOSFET 100 V / 316 A TO-247
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 100 V / 62 A TO-220
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 100 V / 10 A TO-252
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 100 V / 192 A TO-220
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 100 V / 63 A TO-252
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 100 V / 9.4 A TO-252
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 100 V / 127 A TO-220