Infineon HEXFET, Oberfläche MOSFET 100 V / 6.6 A, 5-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 258-3977
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFI4212H-117PXKMA1
- Hersteller:
- Infineon
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Zwischensumme (1 Stange mit 50 Stück)*
€ 60,35
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Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | € 1,207 | € 60,35 |
| 100 - 200 | € 0,978 | € 48,90 |
| 250 - 450 | € 0,917 | € 45,85 |
| 500 - 950 | € 0,869 | € 43,45 |
| 1000 + | € 0,833 | € 41,65 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 258-3977
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFI4212H-117PXKMA1
- Hersteller:
- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 6.6A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Serie | HEXFET | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 5 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 58mΩ | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 12nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 6.6A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Serie HEXFET | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 5 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 58mΩ | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 12nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die Infineon StrongIRFET-Leistungs-MOSFET-Familie ist für niedrige RDS(on) und hohe Strombelastbarkeit optimiert. Die Geräte sind ideal für Anwendungen mit niedriger Frequenz, die Leistung und Robustheit erfordern. Das umfassende Portfolio richtet sich an eine Vielzahl von Anwendungen einschließlich Gleichstrommotoren, Batteriemanagementsystemen, Wechselrichtern und DC/DC-Wandlern.
Integriertes Halbbrückengehäuse
Hoher Wirkungsgrad und THD
Niedrige elektromagnetische Störungen
Umweltfreundlich