Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 100 V / 46 A 3.1 W, 8-Pin PQFN

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*

€ 3,49

(ohne MwSt.)

€ 4,188

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Lagerbestand aktuell unbekannt - Bitte versuchen Sie es später noch einmal

Stück
Pro Stück
Pro Packung*
2 - 18€ 1,745€ 3,49
20 - 48€ 1,52€ 3,04
50 - 98€ 1,41€ 2,82
100 - 198€ 1,325€ 2,65
200 +€ 1,225€ 2,45

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
258-3970
Herst. Teile-Nr.:
IRFH5053TRPBF
Hersteller:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

46A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

PQFN

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

18mΩ

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

24nC

Durchlassspannung Vf

1.3V

Maximale Verlustleistung Pd

3.1W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Die Infineon StrongIRFET-Leistungs-MOSFET-Familie ist für niedrige RDS(on) und hohe Strombelastbarkeit optimiert. Die Geräte sind ideal für Anwendungen mit niedriger Frequenz, die Leistung und Robustheit erfordern. Das umfassende Portfolio richtet sich an eine Vielzahl von Anwendungen einschließlich Gleichstrommotoren, Batteriemanagementsystemen, Wechselrichtern und DC/DC-Wandlern.

SMD-Gehäuse nach Industriestandard

Industriestandard-Qualifikationsstufe

Standard-Stiftanschluss ermöglicht einen Einrast-Ersatz

Verwandte Links