Infineon IPD Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET N / 61 A HDSOP

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
258-3873
Herst. Teile-Nr.:
IPDD60R045CFD7XTMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

61A

Gehäusegröße

HDSOP

Serie

IPD

Montageart

Oberfläche

Drain-Source-Widerstand Rds max.

210mΩ

Channel-Modus

N

Durchlassspannung Vf

1.2V

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Die Hochspannungs-Super-Junction-MOSFET-Technologie von Infineon mit integrierter schneller Gehäusediode vervollständigt die Serie CoolMOS 7. Der CoolMOS CFD7 verfügt über eine reduzierte Gate-Ladung, ein verbessertes Abschaltverhalten und eine um bis zu 69 % niedrigere Umkehrwiederherstellungsladung im Vergleich zur Konkurrenz sowie die kürzeste Umkehrwiederherstellungszeit auf dem Markt.

Ultraschnelle Gehäuse-Diode

Best-in-Klasse-Ladung mit umgekehrter Wiederherstellung

Verbesserte Robustheit der umgekehrten Diode dv/dt und diff/dt

Best-in-Class Hard-Commutation-Robustheit

Höchste Zuverlässigkeit für Resonanztopologien

Höchster Wirkungsgrad mit außergewöhnlicher Benutzerfreundlichkeit/Leistungskompromiss

Ermöglicht Lösungen mit erhöhter Leistungsdichte

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