Infineon iPB Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 220 V / 72 A TO-263

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RS Best.-Nr.:
258-3799
Herst. Teile-Nr.:
IPB156N22NFDATMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

72A

Drain-Source-Spannung Vds max.

220V

Gehäusegröße

TO-263

Serie

iPB

Montageart

Oberfläche

Drain-Source-Widerstand Rds max.

125mΩ

Channel-Modus

N

Durchlassspannung Vf

1.2V

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Die schnelle OptiMOS-Diode von Infineon in 200 V, 220 V, 250 V und 300 V ist für die harte Diodenumschaltung optimiert. Die Geräte sind die perfekte Wahl für harte Schaltanwendungen wie Telekommunikation, industrielle Netzteile, Audioverstärker der Klasse D, Motorsteuerung und DC/AC-Wechselrichter.

Verbesserte Robustheit bei harter Kommutierung

Optimiertes hartes Schaltverhalten

Höchste Systemzuverlässigkeit

Systemkostenreduzierung

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