Infineon HEXFET N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 60 V / 95 A TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 257-9365
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFB7545PBF
- Hersteller:
- Infineon
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Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 95A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Serie | HEXFET | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 5.90mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | +175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 95A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Serie HEXFET | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 5.90mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur +175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Infineon HEXFET Serie MOSFET, 60 V maximale Drain-Source-Spannung, 95 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – IRFB7545PBF
Dieser MOSFET ist ein N-Kanal-Leistungstransistor mit Durchgangsbohrung, der für Schalt- und Hochstromanwendungen entwickelt wurde. Er arbeitet im Enhancement-Modus und eignet sich für Umgebungen, die einen breiten Betriebstemperaturbereich erfordern. Das Gerät wird in einem TO-220-Gehäuse geliefert und entspricht den RoHS-Anforderungen, wodurch es sich für Baugruppen eignet, bei denen eine bleifreie Konformität erforderlich ist.
Merkmale und Vorteile:
• 5,9 mΩ Rds(on) für geringere Leitungsverluste
• 60 V Vds ermöglicht Schaltfunktionen bei mittlerer Spannung
• 95 A kontinuierlicher Ablassstrom zur Unterstützung von Hochstromlasten
• Messbereich von -55 °C bis 175 °C für erweiterten Temperaturbetrieb
• 1,3 V Durchlassspannung, die den Leitungsabfall der Diode reduziert
• 60 V Vds ermöglicht Schaltfunktionen bei mittlerer Spannung
• 95 A kontinuierlicher Ablassstrom zur Unterstützung von Hochstromlasten
• Messbereich von -55 °C bis 175 °C für erweiterten Temperaturbetrieb
• 1,3 V Durchlassspannung, die den Leitungsabfall der Diode reduziert
Anwendungsbereich
• Geeignet für Stromversorgungen, die ein Hochstromschalten erfordern
• Ideal für die Motorantriebsstufe in industriellen Steuerungen
• Wird mit Wärmemanagement für Schaltkreise mit erhöhter Temperatur verwendet
• Kann für den universellen Austausch von Leistungstransistoren verwendet werden
• Wird für Durchsteckprototypen und langlebige Baugruppen verwendet
• Ideal für die Motorantriebsstufe in industriellen Steuerungen
• Wird mit Wärmemanagement für Schaltkreise mit erhöhter Temperatur verwendet
• Kann für den universellen Austausch von Leistungstransistoren verwendet werden
• Wird für Durchsteckprototypen und langlebige Baugruppen verwendet
Welches Gehäuse und welche Befestigungsmethode wird verwendet?
Er wird in einem TO-220-Gehäuse geliefert, das für die Durchsteckmontage vorgesehen ist.
Welche Kanaltypen und Betriebsarten werden angeboten?
Das Gerät ist ein N-Kanal-Transistor, der im Enhancement-Modus arbeitet.
Ist sie für die Anforderungen von Automobilstandards geeignet?
Es wird nicht angegeben, dass es den Klassifizierungen nach dem Automobilstandard entspricht.
Welche Einhaltung der Umweltrichtlinie ist enthalten?
Die Komponente erfüllt die RoHS-Konformität für eingeschränkte Stoffe.
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