Infineon HEXFET N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 60 V / 95 A TO-220

RS Best.-Nr.:: 257-9364
Herst. Teile-Nr.:: IRFB7545PBF
Hersteller:: Infineon

Infineon HEXFET N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 60 V / 95 A TO-220

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RS Best.-Nr.:: 257-9364
Herst. Teile-Nr.:: IRFB7545PBF
Hersteller:: Infineon

Technische Daten des gezeigten Artikels

Datenblätter und Anleitungen

Rechtliche Anforderungen

Informationen zur Produktgruppe

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	95A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	60V
	Serie	HEXFET
	Gehäusegröße	TO-220
	Montageart	Durchsteckmontage
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	5.90mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Durchlassspannung Vf	1.3V
	Maximale Betriebstemperatur	+175°C
	Normen/Zulassungen	RoHS
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 95A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 60V
	Serie HEXFET
	Gehäusegröße TO-220
	Montageart Durchsteckmontage
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 5.90mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Durchlassspannung Vf 1.3V
	Maximale Betriebstemperatur +175°C
	Normen/Zulassungen RoHS
	Automobilstandard Nein

Datasheet - IRFB7545PBF

Infineon HEXFET Serie MOSFET, 60 V maximale Drain-Source-Spannung, 95 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – IRFB7545PBF

Dieser MOSFET ist ein N-Kanal-Leistungstransistor mit Durchgangsbohrung, der für Schalt- und Hochstromanwendungen entwickelt wurde. Er arbeitet im Enhancement-Modus und eignet sich für Umgebungen, die einen breiten Betriebstemperaturbereich erfordern. Das Gerät wird in einem TO-220-Gehäuse geliefert und entspricht den RoHS-Anforderungen, wodurch es sich für Baugruppen eignet, bei denen eine bleifreie Konformität erforderlich ist.

Merkmale und Vorteile:

• 5,9 mΩ Rds(on) für geringere Leitungsverluste
• 60 V Vds ermöglicht Schaltfunktionen bei mittlerer Spannung
• 95 A kontinuierlicher Ablassstrom zur Unterstützung von Hochstromlasten
• Messbereich von -55 °C bis 175 °C für erweiterten Temperaturbetrieb
• 1,3 V Durchlassspannung, die den Leitungsabfall der Diode reduziert

Anwendungsbereich

• Geeignet für Stromversorgungen, die ein Hochstromschalten erfordern
• Ideal für die Motorantriebsstufe in industriellen Steuerungen
• Wird mit Wärmemanagement für Schaltkreise mit erhöhter Temperatur verwendet
• Kann für den universellen Austausch von Leistungstransistoren verwendet werden
• Wird für Durchsteckprototypen und langlebige Baugruppen verwendet

Welches Gehäuse und welche Befestigungsmethode wird verwendet?

Er wird in einem TO-220-Gehäuse geliefert, das für die Durchsteckmontage vorgesehen ist.

Welche Kanaltypen und Betriebsarten werden angeboten?

Das Gerät ist ein N-Kanal-Transistor, der im Enhancement-Modus arbeitet.

Ist sie für die Anforderungen von Automobilstandards geeignet?

Es wird nicht angegeben, dass es den Klassifizierungen nach dem Automobilstandard entspricht.

Welche Einhaltung der Umweltrichtlinie ist enthalten?

Die Komponente erfüllt die RoHS-Konformität für eingeschränkte Stoffe.