Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET -30 V / -12 A 2.5 W SO-8

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)*

€ 4,04

(ohne MwSt.)

€ 4,85

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Nur noch Restbestände
  • Letzte 3 430 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
10 - 90€ 0,404€ 4,04
100 - 240€ 0,384€ 3,84
250 - 490€ 0,343€ 3,43
500 - 990€ 0,242€ 2,42
1000 +€ 0,214€ 2,14

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
257-9336
Herst. Teile-Nr.:
IRF9388TRPBF
Hersteller:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

-12A

Drain-Source-Spannung Vds max.

-30V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

SO-8

Montageart

Oberfläche

Drain-Source-Widerstand Rds max.

11.9mΩ

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

18nC

Maximale Verlustleistung Pd

2.5W

Gate-Source-spannung max Vgs

25 V

Durchlassspannung Vf

-1.2V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Die IRF-Serie von Infineon ist ein robustes IRFET-Leistungs-Mosfet mit -30-V-P-Kanal in einem SO 8-Gehäuse. Die starke IRFET-Leistungs-MOSFET-Familie ist für niedrige RDS (Ein) und hohe Strombelastbarkeit optimiert. Die Geräte sind ideal für Anwendungen mit niedriger Frequenz, die Leistung und Robustheit erfordern. Das umfassende Portfolio richtet sich an eine Vielzahl von Anwendungen einschließlich Gleichstrommotoren, Batteriemanagementsystemen, Wechselrichtern und DC/DC-Wandlern.

Optimiert für breiteste Verfügbarkeit bei Vertriebspartnern

Produktqualifizierung gemäß JEDEC-Standard

SMD-Gehäuse nach Industriestandard

Silizium-Optimierung für Schaltanwendungen unter 100 kHz

Verwandte Links