Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET -20 V / -6.7 A 2.5 W, 8-Pin SO-8

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RS Best.-Nr.:
257-9309
Herst. Teile-Nr.:
IRF7404TRPBF
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

-6.7A

Drain-Source-Spannung Vds max.

-20V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

SO-8

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

40mΩ

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

12 V

Durchlassspannung Vf

-1V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

33.3nC

Maximale Verlustleistung Pd

2.5W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Die IRF-Serie von Infineon ist die starke IRFET-Leistungs-MOSFET-Familie, die für niedrige RDS (Ein) und hohe Strombelastbarkeit optimiert ist. Die Geräte sind ideal für Anwendungen mit niedriger Frequenz, die Leistung und Robustheit erfordern.

Planare Zellenstruktur für breite SOA

Optimiert für breiteste Verfügbarkeit bei Vertriebspartnern

Produktqualifizierung gemäß JEDEC-Standard

Silizium-Optimierung für Schaltanwendungen unter 100 kHz

SMD-Stromversorgungsgehäuse nach Industriestandard

Kann wellenförmig gelötet werden

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