Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET -30 V / -160 A 113 W DirectFET

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RS Best.-Nr.:
257-9333
Herst. Teile-Nr.:
IRF9383MTRPBF
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

-160A

Drain-Source-Spannung Vds max.

-30V

Gehäusegröße

DirectFET

Serie

HEXFET

Montageart

Oberfläche

Drain-Source-Widerstand Rds max.

4.8mΩ

Maximale Verlustleistung Pd

113W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

67nC

Durchlassspannung Vf

-1.2V

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Die IRF-Serie von Infineon ist ein starkes IRFET-Leistungs-Mosfet mit einem Einfach-P-Kanal von -30 V in einem direkten FET-mx-Gehäuse. Die starke IRFET-Leistungs-MOSFET-Familie ist für niedrige RDS (Ein) und hohe Strombelastbarkeit optimiert. Die Geräte sind ideal für Anwendungen mit niedriger Frequenz, die Leistung und Robustheit erfordern. Das umfassende Portfolio richtet sich an eine Vielzahl von Anwendungen einschließlich Gleichstrommotoren, Batteriemanagementsystemen, Wechselrichtern und DC/DC-Wandlern.

Optimiert für breiteste Verfügbarkeit bei Vertriebspartnern

Produktqualifizierung gemäß JEDEC-Standard

Hoher Nennstrom

Zweifachseitige Kühlung

Geringe Gehäusehöhe von 0,7 mm

Gehäuse mit geringer Parasiteninduktivität (1 bis 2 nH)

100 % bleifrei (keine RoHS-Ausnahmeregelung)

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