Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 100 V / 124 A DirectFET

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RS Best.-Nr.:
257-9318
Herst. Teile-Nr.:
IRF7769L1TRPBF
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

124A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Gehäusegröße

DirectFET

Serie

HEXFET

Montageart

Durchsteckmontage

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.7mΩ

Durchlassspannung Vf

1.3V

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Die IRF-Serie von Infineon ist ein 100-V-Einfach-N-Kanal-IRFET-Leistungs-Mosfet in einem direkten FET-L8-Gehäuse. Die starke IRFET-Leistungs-MOSFET-Familie ist für niedrige RDS (Ein) und hohe Strombelastbarkeit optimiert. Die Geräte sind ideal für Anwendungen mit niedriger Frequenz, die Leistung und Robustheit erfordern. Das umfassende Portfolio richtet sich an eine Vielzahl von Anwendungen einschließlich Gleichstrommotoren, Batteriemanagementsystemen, Wechselrichtern und DC/DC-Wandlern.

Optimiert für breiteste Verfügbarkeit bei Vertriebspartnern

Produktqualifizierung gemäß JEDEC-Standard

Hoher Nennstrom

Zweifachseitige Kühlung

Geringe Gehäusehöhe von 0,7 mm

Gehäuse mit geringer Parasiteninduktivität (1 bis 2 nH)

100 % bleifrei (keine RoHS-Ausnahmeregelung)

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