Infineon HEXFET N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 100 V / 124 A DirectFET

RS Best.-Nr.:: 257-9317
Herst. Teile-Nr.:: IRF7769L1TRPBF
Hersteller:: Infineon

Infineon HEXFET N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 100 V / 124 A DirectFET

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Herst. Teile-Nr.:: IRF7769L1TRPBF
Hersteller:: Infineon

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Informationen zur Produktgruppe

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	124A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	100V
	Serie	HEXFET
	Gehäusegröße	DirectFET
	Montageart	Durchsteckmontage
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	3.50mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Durchlassspannung Vf	1.3V
	Maximale Betriebstemperatur	+175°C
	Normen/Zulassungen	RoHS
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 124A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 100V
	Serie HEXFET
	Gehäusegröße DirectFET
	Montageart Durchsteckmontage
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 3.50mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Durchlassspannung Vf 1.3V
	Maximale Betriebstemperatur +175°C
	Normen/Zulassungen RoHS
	Automobilstandard Nein

Datasheet - IRF7769L1TRPBF

Infineon HEXFET Serie MOSFET, 100 V maximale Drain-Source-Spannung, 124 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom - IRF7769L1TRPBF

Dieser MOSFET ist ein N-Kanal-Verbesserungsgerät mit Durchgangsbohrung, das für das Schalten von Hochstrom in anspruchsvollen elektrischen Systemen entwickelt wurde. Er arbeitet in einem breiten Temperaturbereich, der für industrielle Bedingungen geeignet ist, und erfüllt die RoHS-Umgebungsbeschränkungen. Die Komponente wird in einem DirectFET-Gehäuse geliefert, das für Anwendungen entwickelt wurde, die ein effizientes Wärmemanagement und die Integration in Compact Boards erfordern.

Merkmale und Vorteile:

• 3,50 mΩ RDS(on) reduziert Leitungsverluste für höhere Effizienz
• 100 V VDS ermöglicht den Betrieb in Mittelspannungs-Topologien
• 124 A kontinuierlicher Ableitstrom unterstützt hohe Leistungsabgabe
• VF 1,3 V Durchlassspannung unterstützt eine präzise Gate-to-Source-Steuerung
• Der Temperaturbereich von -55 °C bis +175 °C gewährleistet eine erweiterte thermische Toleranz

Anwendungsbereich

• Geeignet für Stromversorgungs- und Motorsteuerungssysteme
• Wird mit Hochstrom-Gleichstrom-Stromverteiler-Racks verwendet
• Ideal für industrielle Wandler- und Wechselrichterstufen
• Kann für Batteriemanagement und Laderegelung verwendet werden

Welcher Gehäusetyp wird für die thermische Handhabung verwendet?

Er verwendet ein DirectFET-Gehäuse, um einen geringen Wärmewiderstand und eine effiziente Wärmeübertragung zu ermöglichen.

Welche Befestigungsmethode ist erforderlich?

Das Gerät ist für die Durchsteckmontage konzipiert, um eine robuste mechanische und thermische Verbindung zu gewährleisten.

Ist das Gerät für Kfz-Qualifikationen geeignet?

Es ist nicht als Kfz-Standardteil spezifiziert und sollte daher anhand von Fahrzeugspezifischen Anforderungen bewertet werden.

Welche Kanalpolarität und welcher Modus sind implementiert?

Das Teil ist ein N-Kanal-Gerät, das im Enhancement-Modus arbeitet und für gängige High-Side- oder Low-Side-Schalter geeignet ist.

Entspricht die Komponente den Umweltrichtlinien?

Es ist RoHS-konform, was auf die Beschränkung bestimmter gefährlicher Stoffe hinweist.