Infineon HEXFET Typ N-Kanal MOSFET 20 V / -9 A 2 W, 8-Pin SO-8
- RS Best.-Nr.:
- 257-9303
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF7324TRPBF
- Hersteller:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 257-9303
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF7324TRPBF
- Hersteller:
- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | -9A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 20V | |
| Serie | HEXFET | |
| Gehäusegröße | SO-8 | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 18mΩ | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 42nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 12 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | -1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Höhe | 1.75mm | |
| Breite | 4 mm | |
| Länge | 5mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id -9A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 20V | ||
Serie HEXFET | ||
Gehäusegröße SO-8 | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 18mΩ | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 42nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 12 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf -1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Höhe 1.75mm | ||
Breite 4 mm | ||
Länge 5mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die IRF-Serie von Infineon ist das -20-V-Dual-P-Kanal-HEXFET-Leistungs-Mosfet in einem SO 8-Gehäuse.
Planare Zellenstruktur für breite SOA
Optimiert für breiteste Verfügbarkeit bei Vertriebspartnern
Produktqualifizierung gemäß JEDEC-Standard
Silizium-Optimierung für Schaltanwendungen unter 100 kHz
SMD-Stromversorgungsgehäuse nach Industriestandard
Kann wellenförmig gelötet werden
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