Infineon HEXFET Typ N-Kanal MOSFET 60 V / 67 A 89 W Micro8
- RS Best.-Nr.:
- 257-9297
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF6674TRPBF
- Hersteller:
- Infineon
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 67A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | Micro8 | |
| Serie | HEXFET | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 11mΩ | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 24nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 89W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 67A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße Micro8 | ||
Serie HEXFET | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 11mΩ | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 24nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 89W | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die IRF-Serie von Infineon ist ein 60-V-Einfach-N-Kanal-IRFET-Leistungs-Mosfet in einem direkten FET mx-Gehäuse. Die starke IRFET-Leistungs-MOSFET-Familie ist für niedrige RDS (Ein) und hohe Strombelastbarkeit optimiert. Die Geräte sind ideal für Anwendungen mit niedriger Frequenz, die Leistung und Robustheit erfordern. Das umfassende Portfolio richtet sich an eine Vielzahl von Anwendungen einschließlich Gleichstrommotoren, Batteriemanagementsystemen, Wechselrichtern und DC/DC-Wandlern.
Optimiert für breiteste Verfügbarkeit bei Vertriebspartnern
Produktqualifizierung gemäß JEDEC-Standard
Hoher Nennstrom
Doppelseitige Kühlung
Geringe Gehäusehöhe von 0,7 mm
Gehäuse mit geringer Parasiteninduktivität (1 bis 2 nH)
100 % bleifrei (keine RoHS-Ausnahmeregelung)
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