Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET -40 V / -3.4 A 1.3 W, 6-Pin TSOP-6

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RS Best.-Nr.:
257-9291
Herst. Teile-Nr.:
IRF5803TRPBF
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

-3.4A

Drain-Source-Spannung Vds max.

-40V

Gehäusegröße

TSOP-6

Serie

HEXFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand Rds max.

190mΩ

Durchlassspannung Vf

1.3V

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

1.3W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

25nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Die IRF-Serie von Infineon ist das -40-V-Einfach-P-Kanal-Leistungs-MOSFET in einem TSOP 6 (Micro 6)-Gehäuse. Die IR-MOSFET-Familie von Leistungs-MOSFETs nutzt bewährte Siliziumprozesse und bietet Entwicklern ein breites Portfolio an Geräten zur Unterstützung verschiedener Anwendungen wie Gleichstrommotoren, Wechselrichter, SMPS, Beleuchtung, Lastschalter sowie batteriebetriebene Anwendungen. Die Geräte sind in einer Vielzahl von SMD- und Durchgangsbohrungsgehäusen mit Abmessungen nach Industriestandard für einfache Konstruktion erhältlich.

Planare Zellenstruktur für breite SOA

Optimiert für breiteste Verfügbarkeit bei Vertriebspartnern

Produktqualifizierung gemäß JEDEC-Standard

Silizium-Optimierung für Schaltanwendungen unter 100 kHz

SMD-Stromversorgungsgehäuse nach Industriestandard

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