Infineon HEXFET N-Kanal, Leiterplattenmontage MOSFET 100 V / 180 A TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 257-5840
- Herst. Teile-Nr.:
- IRLS4030TRLPBF
- Hersteller:
- Infineon
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 180A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Serie | HEXFET | |
| Montageart | Leiterplattenmontage | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 4.3mΩ | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 180A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Serie HEXFET | ||
Montageart Leiterplattenmontage | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 4.3mΩ | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der HEXFET-Leistungs-MOSFET von Infineon ist für die Ansteuerung auf Logikebene optimiert, hat einen sehr niedrigen RDS-Wert bei 4,5 V VGS und wird für die Ansteuerung von Gleichstrommotoren, die hocheffiziente synchrone Gleichrichtung in Schaltnetzteilen, unterbrechungsfreie Stromversorgungen, Hochgeschwindigkeitsschaltungen, hart geschaltete und Hochfrequenzschaltungen verwendet.
Hervorragender R*Q bei 45 V VGS
Verbesserte Gate-, Avalanche- und dynamische dV/dt-Robustheit
Vollständig charakterisierte Kapazität und Avalanche-SOA
Verbesserte Body-Diode dV/dt und dI/dt-Fähigkeit
Bleifrei
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