Infineon HEXFET N-Kanal MOSFET 40 V / 362 A 245 W, 7-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 257-5815
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFS7434TRL7PP
- Hersteller:
- Infineon
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Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 362A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Serie | HEXFET | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Pinanzahl | 7 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.7mΩ | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 245W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 210nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Durchlassspannung Vf | 0.9V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 362A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Serie HEXFET | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Pinanzahl 7 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.7mΩ | ||
Maximale Verlustleistung Pd 245W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 210nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Durchlassspannung Vf 0.9V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Infineons MOSFET verfügt über eine verbesserte Gate-, Avalanche- und dynamische dV/dt-Robustheit sowie eine vollständig charakterisierte Kapazitäts- und Avalanche-SOA.
Vollständig charakterisierte Kapazitäts- und Avalanche-SOA
Verbesserte dV/dt- und dI/dt-Fähigkeit der Body-Diode
Bleifrei, RoHS-konform
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