Vishay E Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 650 V / 24 A TO-263

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RS Best.-Nr.:
256-7413
Herst. Teile-Nr.:
SIHB24N65E-GE3
Hersteller:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

24A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Gehäusegröße

TO-263

Serie

E

Montageart

Oberfläche

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.033Ω

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Leistungs-MOSFET der Serie E von Vishay, 650 V Drain-Source-Spannung, 24 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – SIHB24N65E-GE3


Dieser Leistungs-MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Transistor, der für Schalt- und Leistungsmanagementfunktionen in elektronischen und industriellen Systemen entwickelt wurde. Er funktioniert über einen breiten Temperaturbereich und wird in einem oberflächenmontierten TO-263-Gehäuse geliefert, das für die Integration in belegte Baugruppen geeignet ist, bei denen eine hohe Spannungsbelastbarkeit erforderlich ist.

Merkmale und Vorteile:


• Maximale Drain-Source-Spannung von 650 V ermöglicht Hochspannungsschaltung
• 24 A kontinuierlicher Ablassstrom zur Unterstützung einer erheblichen Lastübernahme
• 0,145 Ω Rds(on) reduziert Leitungsverluste in Leistungspfaden
• 250 W Verlustleistung ermöglicht dauerhafte thermische Belastung
• 122 nC typische Gate-Ladung für vorhersehbare Gate-Drive-Anforderungen
• 30 V Gate-Source-Nennleistung bietet eine große Gate-Drive-Marge

Anwendungen


• Geeignet für SMPS-Primärseitiges Schalten in Hochspannungsversorgungen
• Ideal für industrielle Motorantriebs-Frontend-Schalter
• Wird für die Hochspannungs-DC/DC-Umwandlung in Automatisierungssystemen verwendet
• Kann für Leistungsstufenschalter in Schweiß- oder Heizsteuerungen verwendet werden

Welche thermischen Grenzwerte sollte ich für den Hochleistungsbetrieb berücksichtigen?


Das Gerät ist für den Betrieb bei einer Sperrschichttemperatur von bis zu +150 °C und bis zu -55 °C ausgelegt, sodass ein Wärmemanagement wie ein geeigneter Kühlkörper oder ein Leiterplatten-Kupferbereich erforderlich ist, um sichere Sperrschichttemperaturen bei hoher Verlustleistung aufrechtzuerhalten.

Wie wirkt sich die Gate-Ladung auf die Auswahl der Antriebsschaltkreise aus?


Mit einer typischen Gate-Ladung von 122 nC bei der spezifizierten Gate-Spannung müssen Antriebsschaltkreise genügend Strom liefern und ableiten, um die erforderliche Schaltgeschwindigkeit zu erreichen, wobei Schaltverluste und Treiberleistung berücksichtigt werden müssen.

Welche Befestigungsaspekte sind für die Zuverlässigkeit der Montage erforderlich?


Es wird in einem oberflächenmontierten TO-263-Gehäuse mit drei Stiften geliefert, sodass Standard-Reflow-Lötverfahren und das richtige Pad-Design verwendet werden sollten, um eine mechanische und thermische Verbindung zu gewährleisten.

Welches Umwelt- oder Regulierungsattribut ist enthalten?


Die Komponente entspricht den RoHS-Anforderungen, was bedeutet, dass sie die angegebenen Beschränkungen für gefährliche Substanzen erfüllt.

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