Vishay Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 600 V / 15 A TO-263

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RS Best.-Nr.:
256-7410
Herst. Teile-Nr.:
SIHB15N60E-GE3
Hersteller:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

15A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Gehäusegröße

TO-263

Montageart

Oberfläche

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.033Ω

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Die Power Mosfet D2PAK der Serie E von Vishay Semiconductor sind die am häufigsten verwendeten Stromversorgungsgeräte aufgrund ihrer geringen Gate-Antriebsleistung, ihrer schnellen Schaltgeschwindigkeit und ihrer überlegenen Parallelfähigkeiten.

Niedrige Leistung Ron x Qg

Niedrige Eingangskapazität

Geringere Schalt- und Leitungsverluste

Extrem niedrige Gate-Ladung

Avalanche-Energieeinstufung

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