Vishay E Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 600 V / 15 A TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 256-7410
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHB15N60E-GE3
- Hersteller:
- Vishay
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 15A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Serie | E | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.033Ω | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 15A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Serie E | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.033Ω | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Leistungs-MOSFET der Serie E von Vishay, 600 V Drain-Source-Spannung, 15 A kontinuierlicher Drain-Strom – SIHB15N60E-GE3
Dieser Leistungs-MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Transistor, der für Schalt- und Leistungsumwandlungsaufgaben in der Industrieelektronik entwickelt wurde. Er funktioniert über einen breiten Temperaturbereich und wird in einem kompakten Gehäuse für die Oberflächenmontage geliefert, das für das Wärmemanagement in Stromversorgungsbaugruppen auf Platinenebene geeignet ist.
Merkmale und Vorteile:
• Der Ablasswert von 600 V ermöglicht Hochspannungsschaltanwendungen • 15 A Dauerstrom unterstützt Lasten mittlerer Leistung • Der Einschaltwiderstand von 0,28 Ω reduziert Leitungsverluste • 78 nC typische Gate-Ladung ermöglicht vorhersehbares Schaltverhalten • 180 W Verlustleistung unterstützt eine erhöhte Lastverarbeitung • Die maximale Betriebstemperatur von 150 °C hält hohen thermischen Belastungen stand
Anwendungen
• Geeignet für Hochspannungsnetzteile und Wandler • Ideal für die Schaltung von Motorantrieben in Automatisierungssystemen • Wird für industrielle Beleuchtungs- und Vorschaltgerätesteuerkreise verwendet • Kann für Energiemanagement und Wechselrichterstufen verwendet werden • Wird mit Wärmeleitplatinen in Stromverteilungsmodulen verwendet
Welche Gate-Spannungsgrenzwerte sollten bei der Konstruktion beachtet werden?
Das Gerät darf nicht Gate-Source-Spannungen von mehr als 30 V ausgesetzt werden, um Gate-Oxid-Bestressung zu vermeiden.
Wie sollten die thermischen Bedingungen auf einer Leiterplatte verwaltet werden?
Entwickeln Sie ein spezielles Kupferpad und einen Wärmeableitungsbereich für das TO-263-Gehäuse, um die Sperrschichttemperaturen unter den Nenngrenzen unter der angegebenen Verlustleistung zu halten.
Welchen Umgebungstemperaturbereich können die Komponenten voraussichtlich tolerieren?
Es ist spezifiziert für den Betrieb bis zu -55 °C und bis zu +150 °C und eignet sich daher für raue Umgebungsbedingungen und erhöhte Anschlussszenarien.
Ist dieses Gerät den Spezifikationen für die Automobilindustrie entspricht?
Es ist nicht als Komponente in Automobilqualität klassifiziert und sollte entsprechend für Fahrzeuganwendungen bewertet werden.
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