Name: Vishay E Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 600 V / 15 A TO-263
Brand: Vishay
SKU: 256-7411
Price: 3.53 EUR
Availability: InStock

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Vishay
	Kabelkanaltyp	Typ N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	15A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	600V
	Gehäusegröße	TO-263
	Serie	E
	Montageart	Oberfläche
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	0.033Ω
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Normen/Zulassungen	No
	Automobilstandard	Nein

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	Marke Vishay
	Kabelkanaltyp Typ N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 15A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 600V
	Gehäusegröße TO-263
	Serie E
	Montageart Oberfläche
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.033Ω
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Normen/Zulassungen No
	Automobilstandard Nein

Datasheet - SIHB15N60E-GE3

Leistungs-MOSFET der Serie E von Vishay, 600 V Drain-Source-Spannung, 15 A kontinuierlicher Drain-Strom – SIHB15N60E-GE3

Dieser Leistungs-MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Transistor, der für Schalt- und Leistungsumwandlungsaufgaben in der Industrieelektronik entwickelt wurde. Er funktioniert über einen breiten Temperaturbereich und wird in einem kompakten Gehäuse für die Oberflächenmontage geliefert, das für das Wärmemanagement in Stromversorgungsbaugruppen auf Platinenebene geeignet ist.

Merkmale und Vorteile:

• Der Ablasswert von 600 V ermöglicht Hochspannungsschaltanwendungen • 15 A Dauerstrom unterstützt Lasten mittlerer Leistung • Der Einschaltwiderstand von 0,28 Ω reduziert Leitungsverluste • 78 nC typische Gate-Ladung ermöglicht vorhersehbares Schaltverhalten • 180 W Verlustleistung unterstützt eine erhöhte Lastverarbeitung • Die maximale Betriebstemperatur von 150 °C hält hohen thermischen Belastungen stand

Anwendungen

• Geeignet für Hochspannungsnetzteile und Wandler • Ideal für die Schaltung von Motorantrieben in Automatisierungssystemen • Wird für industrielle Beleuchtungs- und Vorschaltgerätesteuerkreise verwendet • Kann für Energiemanagement und Wechselrichterstufen verwendet werden • Wird mit Wärmeleitplatinen in Stromverteilungsmodulen verwendet

Welche Gate-Spannungsgrenzwerte sollten bei der Konstruktion beachtet werden?

Das Gerät darf nicht Gate-Source-Spannungen von mehr als 30 V ausgesetzt werden, um Gate-Oxid-Bestressung zu vermeiden.

Wie sollten die thermischen Bedingungen auf einer Leiterplatte verwaltet werden?

Entwickeln Sie ein spezielles Kupferpad und einen Wärmeableitungsbereich für das TO-263-Gehäuse, um die Sperrschichttemperaturen unter den Nenngrenzen unter der angegebenen Verlustleistung zu halten.

Welchen Umgebungstemperaturbereich können die Komponenten voraussichtlich tolerieren?

Es ist spezifiziert für den Betrieb bis zu -55 °C und bis zu +150 °C und eignet sich daher für raue Umgebungsbedingungen und erhöhte Anschlussszenarien.

Ist dieses Gerät den Spezifikationen für die Automobilindustrie entspricht?

Es ist nicht als Komponente in Automobilqualität klassifiziert und sollte entsprechend für Fahrzeuganwendungen bewertet werden.

Vishay E Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 600 V / 15 A TO-263

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