Vishay Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET 60 V / 5.1 A 25 W, 3-Pin TO-252

Dieser Leistungs-MOSFET ist ein P-Kanal-Gerät, das für Schalt- und Verstärkungsaufgaben in industriellen elektronischen Systemen entwickelt wurde. Es arbeitet mit negativen Drain-Source-Spannungen bis zu -60 V und unterstützt moderate Dauerstromstärken, womit es für die kontrollierte Leistungsübertragung in oberflächenmontierten Baugruppen geeignet ist. Die Komponente wird in einem TO-252-Gehäuse geliefert und ist für Anwendungen vorgesehen, bei denen kompakte, auf der Platine montierte Leistungstransistoren erforderlich sind.

• Niedrige Rds(on) von 0,5 Ω für reduzierte Leitungsverluste
• Maximaler kontinuierlicher Ablassstrom von -5,1 A ermöglicht eine dauerhafte Lasthandhabung
• Bemessungs-Vgs bis zu 20 V ermöglicht robuste Gate-Drive-Margen
• Typische Gate-Ladung 12 nC, die eine schnellere Schaltdynamik ermöglicht
• Maximale Verlustleistung 25 W unterstützt den thermischen Kopfraum
• Betriebsbereich von -55 °C bis +150 °C für raue Temperaturen

• Geeignet für High-Side-Schaltung in Steuermodulen
• Ideal für das Energiemanagement in Automatisierungsanlagen
• Wird mit Motortreibern verwendet, die eine P-Kanal-Schaltung erfordern
• Kann für den Lastschutz in elektrischen Baugruppen verwendet werden
• Geeignet für kompakte oberflächenmontierte Stromversorgungsplatinen

Das Gerät wird in einem oberflächenmontierbaren TO-252-Gehäuse mit drei Stiften für die direkte Leiterplattenmontage geliefert.

Eine Gate-Ladung von 12 nC bestimmt die erforderliche Antriebsenergie und beeinflusst Schaltverluste und Treiberauswahl für effizientes Timing.

Die Komponente nimmt eine Verlustleistung von bis zu 25 W und eine maximale Sperrschichttemperatur von +150 °C auf, daher sollten Kühlkörper und Leiterplattenkupfer entsprechend dimensioniert werden.

Schutzmaßnahmen für eine maximale Ablass-Quellenspannung von -60 V und einen kontinuierlichen Ablassstrom von -5,1 A zur Vermeidung von Überlastungen.

Beachten Sie die maximale Gate-Source-Nennspannung von 20 V, um Gate-Oxid-Schäden zu vermeiden und ESD-Vorsichtsmaßnahmen während der Montage zu gewährleisten.